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一文读懂晶振
晶振,一般指石英晶体振荡器,是利用石英晶体的压电效应制成的一种谐振器件。
石英晶体具有压电效应,若在晶体的两个电极上加上一电场,晶片就会产生机械变形;反之,若在晶片的两侧施加机械压力,则在晶片相应的方向上将产生电场。
当在晶片的两极上加交变电压时,晶片会产生机械振动,同时晶片的机械振动又会产生交变电场。当外加交变电压的频率为某一特定值时,振幅会明显加大,这种现象称为压电谐振。晶振的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。
从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片,在它的两个对应面上涂敷银层作为电极,在每个电极上各焊一根引线接到管脚上,再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器。其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
分类;
也称为晶体谐振器,需要用 IC 片内的振荡器。它没有电压的问题,信号电平是可变的,可适用于多种电压,价格通常较低。但无源晶振需要外接电容、电阻等元件来组成振荡电路,起振时间相对较长,并且频率稳定性相对较差。
不需要 IC 的内部振荡器,信号质量好、比较稳定,连接方式相对简单(通常做好电源滤波即可)。有源晶振有电源、地和时钟输出引脚,内部有晶体和振荡电路,频率在出厂时已校准。不过其信号电平是固定的,灵活性较差,而且价格相对较高。
其他特殊类型:如温补晶振(TCXO),通过外围电路对石英晶体的频率进行温度补偿,使其在不同温度下仍能保持较高的频率稳定性;恒温晶振(OCXO),利用恒温槽使石英晶体工作在恒温环境下,具有极高的频率精度和稳定性。
晶振的指标主要包括以下方面:
指晶振输出的标准频率值,单位为赫兹(Hz)、千赫兹(kHz)或兆赫兹(MHz)等,常见的如 32.768kHz、12MHz、24MHz 等。该频率是晶振最基本的参数,不同的应用场景会需要不同的中心频率。
在常温(25℃)环境下,晶振输出频率与标称中心频率的偏差。通常用百万分之一(ppm)来表示,数值越小,精度越高。例如,±10ppm 的晶振意味着其输出频率与标称频率的偏差在百万分之十以内。
衡量晶振输出频率在工作过程中因温度、电压、负载等因素变化而产生的频率波动大小。也是用 ppm 来表示,例如在 - 40℃至 85℃的温度范围内,频率稳定度为 ±50ppm,表示在该温度区间内,晶振的频率相对于标称频率的变化范围在百万分之五十以内。一般来说,温补晶振(TCXO)和恒温晶振(OCXO)的频率稳定度较高。
晶振在长时间使用过程中,输出频率会随着时间的推移而发生缓慢变化,通常以每年百万分之几(ppm / 年)来表示。例如,某晶振的老化率为 ±3ppm / 年,意味着在第一年的常温条件下,其频率相对于初始频率的变化在百万分之三以内。
有源晶振需要外部电源供电,工作电压是其正常工作所需的电压值,常见的有 1.8V、2.5V、3.3V、5.0V 等。不同的晶振类型和应用场景可能需要不同的电压。
指晶振输出信号的电压幅值或逻辑电平。常见的输出电平类型有 TTL(晶体管 - 晶体管逻辑电平)、CMOS(互补金属氧化物半导体电平)、LVPECL(低电压正射极耦合逻辑电平)、LVDS(低电压差分信号电平)等。不同的输出电平适用于不同的电路和设备,需要根据具体的应用需求进行选择。
晶振在工作时所消耗的电能,对于一些对功耗要求较高的便携式设备或电池供电设备,晶振的功耗是一个需要关注的指标。
压控晶振可以通过改变控制电压来调整输出频率,牵引范围是指输出频率相对于中心频率的可调节范围,通常用 ppm 表示。
晶振能够正常工作的温度区间,例如常见的工业级晶振工作温度范围为 - 40℃至 85℃,而一些特殊应用场景可能需要更宽或更窄的温度范围。
晶振的物理封装尺寸,常见的有 HC-49U、SMD3225、SMD5032 等,封装尺寸会影响晶振在电路板上的占用空间以及安装方式,在小型化电子设备中,封装尺寸是一个重要的考虑因素。
是对信号短期频率稳定度的一种度量,反映了晶振输出信号的相位随时间的随机波动程度。相位噪声越低,说明晶振的输出信号越纯净、稳定,对于一些对信号质量要求较高的通信、雷达等系统,相位噪声是一个关键指标。
从时域角度衡量晶振输出信号的短期频率稳定度,是指信号在某一平均频率附近的微小变化,通常用皮秒(ps)或纳秒(ns)来表示。抖动越小,晶振的性能越好,对于高速数字电路和通信系统等对时钟信号精度要求高的应用,抖动是一个重要的指标。
晶振是一种利用石英晶体的压电效应制成的电子元件,在电子设备中具有极其重要的作用。实际系统需要时,根据使用场景以及系统设计需求,选取合适的晶振类型、晶振频率、稳定度等。
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