为什么LDO要防倒灌？

传统LDO工作原理主要是输出电压经反馈电阻RF1、RF2分压采样输入误差放大器EA的反向端，与误差放大器EA的同相端基准电压VR比较误差放大后输出控制调节功率PMOS管MP的栅极电位，调节控制使FB电位与基准VR相等，从而控制输出电压VOUT。常规正常工作情况，电流如图1中红色箭头所示由VIN经过MP功率管源漏供输出负载应用。

传统型LDO的功率PMOS源与衬底连接VIN（方式如图1所示），功率PMOS管衬底与漏之间寄生体二极管Dio负向端连接VIN，正向端连接VOUT，由于传统型LDO一般应用于降压情况，VIN大于VOUT，功率PMOS管衬底与漏之间寄生体二极管Dio处于反向偏置不开启状态，常规应用不影响LDO的正常工作，但还是存在安全隐患，如输入输出接反、输入短路到地、输入突然掉电等等，都会存在VOUT大于VIN电位的情况，且随着集成电路的高速发展和LDO广泛多样的应用，如负载端多电源供电选择（如图2典型应用简化图），存在VOUT电位大于LDO供电电源VIN电位情况，或VIN短接到地和悬空的情况，以上描述这些使得功率PMOS管衬底与漏之间寄生体二极管Dio处于正向偏置，如图3所示，输出端向输入端灌入大电流（红色箭头方向），加大损耗电流同时可能造成功率PMOS管永久性损坏，这就时为什么LDO要有防倒灌（也称逆流保护）了，具有防倒灌（逆流保护）功能的LDO可以解决以上问题。